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Les substrats en saphir appartiennent à l'un des aspects les plus importants de l'application constructive de ce matériau. Ils sont utilisés pour l'épitaxie de films semi-conducteurs tels que Si, GaN, AlGaN et pour la fabrication de circuits intégrés.
Les substrats en saphir sont inertes, fonctionnent à des températures et des charges mécaniques élevées et peuvent être obtenus en grande taille. Par conséquent, ils sont utilisés même dans les cas où les paramètres du réseau ne coïncident pas complètement avec les paramètres des structures hétéroépitaxiales.
Bien qu'il existe de nombreux substrats qui sont considérés comme des matériaux potentiels pour remplacer le substrat en saphir, il est toujours dominé sur le marché des substrats (pour la croissance de GaN LED), en raison de son prix raisonnable et de son faible décalage.
Zhongju est capable de traiter des substrats selon les besoins des clients. Actuellement, nos productions de substrats en saphir varient de 2 à 12 pouces avec une haute qualité et une orientation précise.
Tableau 1 Taille des substrats
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
Tableau 2 Spécifications des substrats
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
Groupes de Produits : Substrat saphir > Substrat de saphir de 6 pouces
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