le matériau étudié et une fine plaque de rubis sont serrés entre les plaques de saphir. Sous l'influence d'un courant électrique ou d'un chauffage laser sur la plaque étudiée, une pression de ~ 100 kbar apparaît pendant 1 à 2 ms.
La pression est mesurée à partir du décalage de la valeur du pic de luminescence rubis. Une impulsion à l = 532 nm est appliquée à la plaque de rubis via un guide de lumière et la plaque de saphir.
Le signal de luminescence est passé à l = 700 nm en utilisant le même guide de lumière. Le décalage du pic de luminescence à ce signal, égal à 0,5 nm, correspond à une augmentation de pression de 20 kbar.3.
En tant que transducteur extensible, un rubis de haute qualité avec une teneur en chrome de 0,5 à 0,7% est utilisé.
Les transducteurs de pression à base de rubis sont utilisés pour des pressions hydrostatiques de l'ordre de 60 kbar. Un tel capteur a la forme d'un disque, d'un diamètre de 0,6 mm et d'une épaisseur de 0,1 mm, et contient 4 · 10 14 spins.
Bien qu'il existe de nombreux substrats qui sont considérés comme des matériaux potentiels pour remplacer le substrat en saphir, il est toujours dominé sur le marché des substrats (pour la croissance de GaN LED), en raison de son prix raisonnable et de son faible décalage. Zhongju est capable de traiter des substrats selon les besoins des clients. Actuellement, nos productions de substrats en saphir varient de 2 à 12 pouces avec une haute qualité et une orientation précise.
Tableau 1 Taille des substrats
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2 inches Substrates
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4 inches Substrates
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6 inches Substrates
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Diameter (mm)
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50.9±0.1
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100.1±0.1
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150.1±0.1
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Primary Flat Length (mm)
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16±1
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31±1
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47.5±1
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Tableau 2 Spécifications des substrats
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Material
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High purity single crystal sapphire
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Surface Orientation
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C-plane ± 0.1°
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Primary Flat Orientation
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A-plane ± 0.5°
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Broken edge length
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≤3mm
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Crack
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0
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Defect
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No inclusion，twin，or boundary
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Bubble and cloud
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Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length
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EPD
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≤1000 pits/cm2
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